Hersteller Produktnummer:
TSM2NB60CH C5G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM2NB60CH C5G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
12896974
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TSM2NB60CH C5G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
249 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
44W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
TSM2NB60CHC5G
TSM2NB60CH C5G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD3NK80Z-1
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
STD3NK80Z-1-DG
Einheitspreis
0.73
ERSATZART
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